爱普生销售支持高电压和高电流的dmos - asic

—爱普生将首先接受国内订购S1X8H000和S1K8H000系列dmos - asic芯片的订单

——2021年5月26日，日本东京

精工爱普生公司(TSE: 6724，“Epson”)目前正在销售单片DMOS-ASIC¹集成IP核的产品²用于DMOS(双扩散MOSFET)上的逻辑电路^3.它支持高电压和高电流。爱普生已经开始接受国内订购S1X8H000和S1K8H000系列的dmos - asic芯片。

爱普生在半导体领域的起步是设计和制造CMOS-IC⁴用于世界上第一块石英表，1969年上市。手表CMOS芯片体积小，价格便宜，耗电很少，这使得它们对石英手表的后续发展做出了巨大贡献。在此后的40多年里，爱普生以其高效、紧凑、精密的技术为基础，利用CMOS电路开发和制造了LCD驱动器、asic、微控制器和其他半导体。
近年来，爱普生为了提高打印机等成品的战略价值，一直强调开发内部用半导体。除了用于手表的CMOS芯片外，爱普生还开发并提供了大量用于打印机和其他成品的ic，并使用了支持高压、大电流的DMOS工艺，积累了专业知识和许多IP核。

与此同时，随着世界越来越多地将注意力转向解决全球变暖和其他环境问题，以实现可持续发展，半导体市场正在寻求解决电力损失问题。即使能兼容高电压、高电流，也能有效利用电力的半导体元件的需求正在增加。另外，随着新兴国家家电、电子市场的持续扩大和电动汽车、混合动力汽车等新一代汽车的增长，减少功率损耗的低功耗半导体零部件的需求也在加快。

为了满足这一需求并解决环境问题，爱普生决定进入支持高电压和高电流的dmos - asic市场。这是利用在内部开发和内部使用芯片生产过程中积累的低功耗CMOS工艺和DMOS工艺技术的领域。

爱普生以自主开发的知识产权为基础，积累了一系列IP核。爱普生将以40年的经验为基础，以长期稳定的供应和灵活的设计为基础，利用专用集成电路(ASIC)开发方法实现产品的商用化。

爱普生将首先提供S1X8H000和S1K8H000系列产品，这是一种结合了0.15微米CMOS和DMOS技术的低功耗asic(嵌入式阵列和标准电池)，以支持高压和大电流，还可以集成控制逻辑电路，以实现低功耗。
爱普生利用其独特的电路工程技术，解决了以往集成模拟控制元件的难题。预先提供占据电路板空间的功率半导体元件、专用ic、高压、大电流元件作为IP核，甚至集成客户设计的逻辑电路，制成单片dmos - asic。这减轻了采购多个零件的需求，减少了零件数量，并通过优化控制电流消耗节省了电力，帮助客户使他们的产品更小，降低了他们的功耗，降低了他们的开发成本。
这些产品非常适合广泛应用于双向通信网络电路，如IO-Link，高压开关，开关电源，具有内置控制功能的电机驱动器，以及驱动电机的h桥等领域。

正如爱普生25更新的企业愿景所述，爱普生的微器件业务寻求通过其高效、紧凑和精密的技术增强晶体和半导体解决方案，为智能社区的发展做出贡献。通过提供小型节能设备的价值，爱普生将在整个价值链中降低对环境的影响，包括改善客户产品的环保性能。通过提供能够实现新业务流程的半导体和晶体设备，我们的目标是为我们的客户提供卓越的经济和环境价值。

产品特性

• 与传统的高压MOS工艺相比，DMOS晶体管的导通电阻降低了50%以上，降低了功率损耗，在保持高压的同时实现了高效率。
• 一个0.15微米的CMOS逻辑电路，DMOS工艺，非易失性存储器，以及更多的可以集成在一个芯片上。
• 可以作为IP核提供大量的功能。
  IP核的例子^＊:具有过流检测功能的DMOS晶体管，h桥电路，LDO, EEPROM, SRAM，安全功能-欠压检测，过压检测，加热检测
  ^＊爱普生计划开发一系列额外的IP核

相关链接

请查看下面的链接了解产品细节。
网站网址://m.tvnrw.com/products_and_drivers/semicon/products/asic/dmos_asic.html

调查:

爱普生计划于2021年12月开始接受日本以外客户的dmos - asic订单。
有关日本以外地区的销售信息，请与当地的爱普生销售办事处联系。
网站网址://m.tvnrw.comm.tvnrw.com/products_and_drivers/semicon/information/support.html

产品规格

¹专用集成电路。ASIC是一种电子元件，是将用于特定应用的多种功能的电路组合成一个封装的任何集成电路。爱普生的asic系列包括多个系列的门阵列、嵌入式阵列和标准单元，具体取决于定制的程度。

²IP核(知识产权核):用于配置LSI的一块电路信息，特别是具有特定功能的LSI。

^3.DMOS(双扩散MOSFET):一种从晶圆片表面到底部使用大量电能的晶体管，其结构是通过在晶圆片的垂直方向通过大电流来获得高耐压。DMOS通常用于几10s到几100伏特的耐压范围。

⁴互补MOS(互补MOS):一种逻辑电路，使用n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的互补对，可以通过改变添加到半导体中的杂质来创建。CMOS半导体的功耗可以大大低于仅由n型或p型MOS晶体管组成的半导体。

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