宏观细胞

我们有各种宏观单元，对应于广泛需求，并且每个客户都能够为电路添加可能性或原创性。

排队

1.PLL.

系列 S1x5v000. S1X50000. S1X60000/S1K60000. S1X80000/S1K80000.
宏型 A35M. A35K. A35M. A25K. A25M. A15K. A15M.
操作电压 4.5至5.5V. 3.0至3.6V. 2.3到2.7V 1.65至1.95V
输入频率 5MHz到40MHz. 32khz. 5MHz到40MHz. 32khz. 5MHz至150MHz. 32khz. 5MHz至150MHz.
乘法比例 x2到x26 x610到x4096 x2到x26 最大限度。16000 x1到x16 x571至x6667 x1到x16
输出频率 20MHz到135MHz. 20MHz到135MHz. 20MHz到200MHz. 20MHz到200MHz.
周期抖动 ±3％ ±3％ ±2％ ±2％ ±200ps POUT <= 100MHz±2％
POUT> 100MHz±200ps
产出税.. 50％±10％ 50％±10％ 50％±5％ 50％±400pps
锁定时间 100μs. 100毫秒 100μs. 100毫秒 100μs. 100ms. 200μs.
低通滤波器 在片上 在片上 在片上 在片上
温度范围 -40至110℃ -40至85℃ -40至85℃ -40至110℃
层 3. 3. 3. 4.

2. rom.

系列 S1x5v000. S1X60000 S1X80000/S1K80000.
宏型 标准 标准 标准
内存大小/模块 1k至256k位 1k至256k位 1k至512k钻头
数据总线宽度 x1到x64 1位步骤 x1到x64 1位步骤 x1到x64 1位步骤
工作Voltag. 2.0V，2.5V，3.0V，3.3V 2.0V，2.5V 1.8V.
操作频率（最大） 50MHz. 66MHz. 56MHz.
层 3. 3. 3.

3.SRAM.

系列 S1x5v000.
宏型 标准
港口 1港口 2端口（1R + 1W）
内存大小/模块 128到16kbit.
数据总线宽度（位） x1到x32 1bit步骤
工作电压 3.3V，5.0V.
操作频率（最大） 50MHz / 5.0V.
层 3.
系列 S1X50000.
宏型 标准 高密度 高速
港口 1港口 双端口（2R + 2W） 1港口 1港口 2端口（1R + 1W） 双端口（2R + 2W）
内存大小/模块 128到64kbit. 1K到64kbit. 32K到512kbit. 32K到72kbit.
数据总线宽度（位） x1到x32 1bit步骤 x8，x16，x24，x32 x8，x16，x32 x1到x144 1bit步骤
写选项 字节写道 - 字节写道
工作电压 2.0V，2.5V，3.0V，3.3V 2.0V，3.0V，3.3V 3.3V.
操作频率（最大） 71MHz. 76MHz. 125MHz. 110MHz.
层 3. 3. 3.
系列 S1X60000/S1K60000.
宏型 标准 高密度 高速
港口 1港口 双端口（2R + 2W） 1港口 1港口 2端口（1R + 1W）
内存大小/模块 128到64kbit. 1K到64kbit. 32K到512kbit. 128到64kbit.
数据总线宽度（位） x1到x32 1bit步骤 x8，x16，x24，x32 x8，x16，x32 x4到x64 1bit步骤
写选项 字节写道 字节写道 字节写道
工作电压 2.0V，2.5V 2.5V.
操作频率（最大） 125MHz. 119MHz. 71MHz. 179MHz.
层 3. 3. 3.
系列 S1X80000/S1K80000.
宏型 标准 大规模
港口 1港口 2端口（1R + 1W） 双端口（2R + 2W） 1港口
内存大小/模块 128到64kbit. 64到16kbit. 1K到32kbit. 128K到1Mbit.
数据总线宽度（位） x1到x32 1bit步骤 x1到x32 1bit步骤 x8，x16，x24，x32 x8，x16，x32
写选项 字节写道 - 字节写道 1位写
工作电压 1.8V.
操作频率（最大） 125MHz. 119MHz. 116MHz. 74MHz.
层 3. 4. 3. 3.

4.用于嵌入式使用的MACRO示例

TCON.

对于他们的宏观电池，请联系我们销售部门。